Основное и возбужденное состояние атома
Электронные формулы, которые мы составляли до этого, соответствуют основному энергетическому состоянию атома. Это наиболее выгодное энергетически состояние атома.
Однако, чтобы образовывать химические связи, атому в большинстве ситуаций необходимо наличие неспаренных (одиночных) электронов. А химические связи энергетически очень для атома выгодны. Следовательно, чем больше в атоме неспаренных электронов — тем больше связей он может образовать, и, как следствие, перейдёт в более выгодное энергетическое состояние.
Поэтому при наличии свободных энергетических орбиталей на данном уровне спаренные пары электронов могут распариваться, и один из электронов спаренной пары может переходить на вакантную орбиталь. Таким образом число неспаренных электронов увеличивается, и атом может образовать больше химических связей, что очень выгодно с точки зрения энергии. Такое состояние атома называют возбуждённым и обозначают звёздочкой.
Например, в основном состоянии бор имеет следующую конфигурацию энергетического уровня:
+5B 1s22s22p1 1s 2s 2p
На втором уровне (внешнем) одна спаренная электронная пара, один одиночный электрон и пара свободных (вакантных) орбиталей. Следовательно, есть возможность для перехода электрона из пары на вакантную орбиталь, получаем возбуждённое состояние атома бора (обозначается звёздочкой):
+5B* 1s22s12p2 1s 2s 2p
Попробуйте самостоятельно составить электронную формулу, соответствующую возбуждённому состоянию атомов. Не забываем проверять себя по ответам!
15. Углерода
16. Бериллия
17. Кислорода
Краткая таблица совместимости комплектующих компьютера
Исходная комплектующая | Характеристика | Совместимая комплектующая | Пример |
Процессор | Гнездо процессора (сокет) | Материнская плата | Процессор Intel Core i5-3450 Сокет LGA1155 |
Процессор | Тип памяти, Частота работы памяти | Оперативная память | Процессор Intel Core i5-3450 Тип памяти: DDR3 Частота работы памяти 1333-1600 МГц |
Процессор | Гнездо процессора (сокет), Тепловыделение | Кулер | Процессор Intel Core i5-3450 Сокет LGA1155 Тепловыделение 77 Вт |
Материнская плата | Гнездо процессора (сокет), Поддержка типов процессоров | Процессор | Сокет LGA1155 Поддержка процессоров: Intel Core i5-3xxx |
Материнская плата | Тип памяти, Частота работы памяти | Модуль памяти | Тип памяти: DDR3 Частота работы памяти: Зависит от процессора |
Материнская плата | Тип разъема для видеокарты | Видеокарта | Разем PCI-Express x16 3.0 |
Материнская плата | Интерфейс подключения жесткого диска | Жесткий диск |
SATA 6 Gb/s (SATA III) |
Материнская плата | Тип питания материнской платы | Блок питания | Питание 24+4 pin |
Материнская плата | Формат материнской платы | Корпус системного блока | Формат: MicroATX |
Материнская плата | Интерфейс подключения периферийных устройств | Клавиатура и мышь | USB |
Кулер | Гнездо процессора (сокет), Рассеиваемая мощность | Процессор | Сокет LGA1155 Рассеиваемая мощность 100 Вт. |
Модуль оперативной памяти | Тип памяти, Частота работы памяти | Процессор | Тип памяти: DDR3 Частота работы: 1333 МГц |
Модуль оперативной памяти | Тип памяти, Частота работы памяти | Материнская плата | Тип памяти: DDR3 Частота работы: 1333 МГц |
Видеокарта | Тип разъема для видеокарты | Материнская плата | PCI-Exppress x16 3.0 |
Видеокарта | Тип дополнительно питания | Блок питания | Питание 6 pin |
Жесткий диск | Интерфейс жесткого диска | Материнская плата | SATA 6 Gb/s (SATA III) |
Жесткий диск | Тип питания | Блок питания | Питание SATA |
Привод оптических дисков | Интерфейс привода оптических дисков | Материнская плата | SATA 6 Gb/s (SATA III) |
Привод оптических дисков | Тип питания | Блок питания | Питание SATA |
Блок питания | Разъем питания материнской платы | Материнская плата | Питание 24+4 pin |
Блок питания | Разъем питания видеокарты | Видеокарта | Питание 6 pin |
Блок питания | Разъем питания | Жесткий диск | Питание SATA |
Блок питания | Разъем питания | Привод оптических дисков | Питание SATA |
Блок питания | Мощность | Все комплектующие | Потребление видеокарты + 200 Вт Итого: 350 Вт |
Корпус | Формат материнской платы | Материнская плата | Формат: MicroATX |
Из таблицы видно на какие характеристики нужно обращать
внимание при подборе совместимых комплектующих. Но сделаем сразу оговорку по нескольким из них:
Но сделаем сразу оговорку по нескольким из них:
Совместимость комплектующих: особенности выбора
1. Интерфейс SATA III обратно совместим с SATA II и SATA. Это означает, что имея на материнской плате разъем SATA III к
нему можно подключить жесткие диски SATA II и SATA. Просто они будут медленнее работать в соответствии со
стандартом своего интерфейса;
2. Интерфейс PCI-Express, также обратно совместим со своими предшественниками;
3. В корпус формата ATX можно вставить материнскую плату
меньшего размера, например, MicroATX;
4. Кулер лучше брать с запасом по рассеиваемой мощности. Так
вы избежите перегрева процессора;
5. Для расчета мощности блока питания необходимо сложить
мощности всех подключенных к нему комплектующих. Условно можно принять, что
мощность:
— процессора — от 50 до 120 Вт;
— материнской платы — от 20 до 35 Вт;
— модулей памяти — от
20 до 50 Вт;
— жесткого диска — от 20 до 55 Вт;
— видеокарты — от 20 до 300 Вт;
— привода оптических дисков — от 15 до 25 Вт.
Блок питания лучше брать с запасом по мощности примерно в
100-150 Вт.
6. Модули оперативной памяти для работы в двухканальном
режиме лучше брать одинаковые: одного производителя, объема и частоты.
Различия оперативной памяти компьютера и ноутбука
Оперативная память для ноутбука
Для замены памяти RAM на ноутбуке лучше всего выбрать модуль с теми же параметрами, что установлен на заводе. Благодаря этому, Вы будете уверены, что новый компонент будет полностью совместим с вашим устройством.
Чтобы проверить характеристики оперативной памяти, достаточно включить диспетчер устройств или перейти к BIOS (UEFI).
Оперативная память для настольного компьютера
В случае модулей оперативной памяти для настольных компьютеров выбор гораздо шире. Производители предлагают стандартные простые модули, но также можно взять модели с высоким профилем.
Конструкция последних эффективнее из-за установленных радиаторов, которые позволяют рассеивать тепло. В свою очередь, установив дополнительные системы охлаждения в корпусе, стоит рассмотреть возможность покупки низкопрофильных модулей. Это, в частности, Crucial Ballistix Tactical и HyperX Savage. Благодаря им, монтируя систему охлаждения, Вы не столкнётесь с неприятными сюрпризами.
Охлаждение модулей оперативной памяти
Специфическая конструкция ноутбука не позволяет применять радиаторы в оперативной памяти, поэтому модуль использует общую систему охлаждения
Если вы хотите поэкспериментировать с эффективным охлаждением, то должны направить внимание на настольные модели компьютеров. На этом поле возможностей очень много
Самая простая система охлаждения – плоский алюминиевый радиатор, расположенный с обеих сторон модуля RAM. Чтобы обеспечить максимальную эффективность отвода тепла, производители используют гораздо более продвинутые системы. Вплоть до сложных и мощных радиаторов с системой трубок, наполненных жидкостями.
Кроме того, на рынке присутствуют модели, оснащенные собственными вентиляторами. В крайнем случае, мы можем использовать дополнительные вентиляторы, устанавливаемые над модулями оперативной памяти. Надо признать, что такие конструкции выглядят привлекательно и представляют собой важный элемент наборов с прозрачной боковой панелью.
Однако, прежде чем купить такой набор модулей памяти, убедитесь что радиатора не заблокирует другие слоты или не помешает установке других компонентов.
Разгон или тонкая настройка производительности
В случае оперативной памяти для ноутбуков любители разгона не имеют поля для маневра. Эти модули практически не дают возможности для изменения настроек, но, несмотря на это, они могут очень эффективно работать. Модели поколения DDR4 могут похвастаться высокой частотой на уровне 3200 Мгц, обеспечивающую отличную многозадачность.
Тем не менее, желая повысить производительность оперативной памяти, нужно использовать традиционный настольный компьютер. Помните, что при использовании компьютера для мало требовательных задач нам не нужно поднимать его производительность.
Разгон – это, прежде всего, занятие для игроков и людей, которые ожидают высокой мощности от компьютера. В новых модулях памяти важнее обеспечить достаточное охлаждение, тогда ОЗУ будет работать без тормозов.
Если вы собираетесь разгонять частоты, убедитесь, что у вас есть достаточное охлаждение, так как модуль оперативной памяти будет нагреваться больше, чем обычно.
Замена оперативной памяти
В случае настольного компьютера, этот процесс действительно прост. Достаточно отвинтить или открыть боковую панель, отсоединить защелки на материнской плате и извлечь модуль из слота. Установка осуществляется в обратном порядке. Перед началом модернизации необходимо ещё отключить питание, но с заменой справится даже начинающий пользователь.
Если речь идёт о ноутбуках, то дело может быть немного сложнее. В некоторых моделях у нас есть прямой доступ к оперативной памяти. Производители устанавливают специальную крышку с надписью Memory. После её открытия мы сразу увидим модуль оперативной памяти.
Случается, однако, что мы должны снять всю нижнюю крышку или даже снять клавиатуру. Конечно, и в этом случае возможна самостоятельная замена, но мы можем нечаянно повредить другой узел. Безопаснее воспользоваться услугами авторизованного сервиса, так как самостоятельная замена может привести к потере гарантии. Более того, в ультрабуках замена оперативной памяти часто вообще невозможна, а модули припаяны к материнской плате.
Как в случае с настольным компьютером, так и в случае с ноутбуком, после завершения установки проверьте правильность их работы и стабильность их работы. Для этого используются системные решения (диагностика системной памяти), а также специальные программы (например, MemTest, Prime95).
Процессор, память и производительность
Описание различий мы начнем с самого главного — с возросшей производительности. Инженеры Сяоми установил на свой новый телефон более мощный процессор. Теперь на «pro»-версии стоит Snapdragon 860 («ведущий 4G-процессор 2021 года»). В то время как на обычном POCO X3 установлен Snapdragon 732G.
В AnTuTu POCO X3 Pro набирает 559 000 баллов, а его младший брат всего лишь 278 000. Подобная разница не могла не сказаться и на игровой производительности гаджетов. При игре на максимальных настройках в большинстве случаев Snapdragon 860 демонстрирует fps на 25-40% выше, чем Snapdragon 732G.
POCO X3 Pro и POCO X3 NFC. Результаты теста AnTuTu
Так, в World of Tanks Blitz на максималках POCO X3 Pro показывает средний fps на уровне 101 кадр в секунду, а прошлогодняя версия гаджета — только 62. Для получения заветных 120 кадров в секунду на продвинутом телефоне можно выставить «средние» настройки, а на версии с приставкой «NFC» — только «низкие».
Оба игровых гаджета оснащены системой охлаждения. Тепло от процессора отводят многослойная графитовая конструкция и медная трубка. Так как плата у нового телефона более мощная, при равных условиях этот аппарат нагревается несколько больше (на 0,5-1°C). Максимальный нагрев телефонов при длительной игре в ресурсоемкие игры — 42,7°.
Объем оперативной памяти у обычного POCO X3 составляет 6 Гб. Продвинутая версия обладает 6 или 8 Гб оперативки. Тип ОЗУ на смартфонах одинаковый — LPDDR4X.
Объем встроенной памяти на POCO X3 NFC — 64 или 128 Гб. Прокаченный смартфон имеет 128 либо 256 гигобайт собственной памяти. Причем встроенная память у нового телефона имеет более скоростной стандарт — UFS 3.1. (против UFS 2.1. у младшей модели). В результате новый девайс считывает файлы со скоростью 1 455 Мб/с, а записывает — со скоростью 530 Мб/с. Показатели POCO X3 NFC — 541 и 197 Мб/с соответственно. Такое преимущество позволяет прокаченному аппарату запускать приложения и игры более быстро.
На оба телефона можно установить дополнительную карту памяти (объемом до 256 Гб на младшей версии и до 1 Тб на старшей). Однако лотки на этих гаджетах двухсекционные. Поэтому флэш-карту можно будет поставить только за счет одной из симок.
Процессоры и производительность
Топовый игровой смартфон работает на процессоре Snapdragon 870, среднебюджетный — на плате Snapdragon 860. Результаты смартфонов в тесте AnTuTu — 669 000 баллов против 491 000. Впрочем, в повседневных сценариях использования оба аппарата ведут себя одинаково. Их мощности хватает, чтобы мгновенно открывать все приложения, мессенджеры, странички интернета и т. п.
POCO X3 Pro (слева) и POCO F3 (справа). Тест AnTuTu.
Что касается троттлинга, то на POCO X3 Pro он заметен больше. При повышенной нагрузке этот смартфон снижает свою мощность примерно на 30%. Троттлинг у более производительного POCO F3 — всего 10-15%.
POCO X3 Pro (слева) и POCO F3 (справа). Тест на троттлинг.
При игре в требовательные игры бюджетный гаджет в течение 20-30 минут демонстрирует очень высокие показатели. Например, при игре в World of Tanks Blitz на максималках fps будет на уровне 100 к/с. Дальше возможно проседание мощности.
POCO F3 инженеры Сяоми разработали специально для геймеров. Этот аппарат способен проработать при экстремальных нагрузках в течение 1-2 часов, не теряя своей производительности. World of Tanks Blitz на максимальных настройках на нем идет с fps 100-110 к/с. Запаса мощности этим аппаратам хватит еще года на три.
Оба телефона оборудованы специальной системой охлаждения. Нагрев смартфонов в процессе длительного геймплея составляет 40-42°.
Конфигурация памяти у мощных игровых аппаратов — 6/128 или 8/256 Гб. При этом встроенная память смартфонов изготовлена с применением самого скоростного формата — UFS 3.1. Это позволяет им мгновенно открывать все установленные приложения и скаченные файлы.
Собственную память более дорогого POCO F3 расширить за счет дополнительной флэшки нельзя. В современно мире считается, что топовые телефоны не должны иметь такой функции. Пользователь сразу выбирает устройство с необходимым ему объемом ПЗУ.
А вот на POCO X3 Pro поставить карту памяти можно. Однако лоток у этого телефона комбинированный. В него можно установить либо 2 симки, либо одну симку и флэшку.
Внешний вид и дизайн телефонов
Не удивительно, что более дорогой POCO F3 имеет более премиальную внешность. Его корпус изготовлен из престижного материала — закаленного стекла. Пластмассовой является только рамка этого телефона. А корпус бюджетной модели целиком изготовлен из пластика.
Дорогой телефон более изящный, и им удобнее пользоваться одной рукой. Корпус у POCO F3 тоньше, чем у X3 Pro, на 1,5 мм (для современных смартфонов это много). К тому же топовый аппарат легче бюджетной модели на целых 19 г (это без малого 10% от его веса).
Блок камер на престижной модели имеет привычное классическое расположение: он находится в верхнем левом углу. У POCO X3 Pro камеры располагаются по центру задней панели (в виде крестика на круглой платформе).
POCO F3 (слева) и POCO X3 Pro (справа). Задние панели.
Более дорогой телефон, как это и принято, лишен разъема для наушников (на POCO X3 Pro такую опцию сохранили). Сканер отпечатка пальца на обоих смартфонах помещен на клавишу включения (это считается более удобным и современным решением).
Возможные расцветки мощного POCO F3: «Черная ночь», «Синий океан» и «Белый айсберг». Варианты цветов POCO X3 Pro: «Черный фантом», «Синий иней» и «Сверкающая бронза».
Примеры совместимости
Память DDR4 PC4-19200 2400МГц (тайминги 16-16-16-36)
- Acer Aspire A315-21-978V с процессором AMD A9-9420e
- Acer aspire E 15 E5-575G-78J8
- ASUS VivoBook Pro 15 N580VD-DM260
Память DDR4 PC4-21300 2666МГц (19-19-19)
- DELL Inspiron 7577 с процессором Intel Core i7 7700HQ 2.8ГГц
- Lenovo y520 legion
- Acer an515 54 55qn
- Acer Aspire A715-71G-56BD с процессором Intel Core i5 7300HQ 2.5ГГц
Память DDR3 PC3-10600 1333МГц
- Ноутбук Lenovo B570e
- Sony Vaio pcg-91212v
- Asus U32U с процессором AMD E-450
- Acer Aspire 5253g
Память DDR3 PC3-12800 1600МГц
- Sony SVE11113FXW с процессором AMD E2-1800 APU
- HP Pavilion G6-2008er
- ноутбук ASUS K53SM.
- HP Pavilium g6 с процессором Mobile DualCore AMD A4-4300M, 3000 MHz
Электронные формулы элементов первых четырех периодов
Рассмотрим заполнение электронами оболочки элементов первых четырех периодов. У водорода заполняется самый первый энергетический уровень, s-подуровень, на нем расположен 1 электрон:
+1H 1s1 1s
У гелия 1s-орбиталь полностью заполнена:
+2He 1s2 1s
Поскольку первый энергетический уровень вмещает максимально 2 электрона, у лития начинается заполнение второго энергетического уровня, начиная с орбитали с минимальной энергией — 2s. При этом сначала заполняется первый энергетический уровень:
+3Li 1s22s1 1s 2s
У бериллия 2s-подуровень заполнен:
+4Be 1s22s2 1s 2s
Далее, у бора заполняется p-подуровень второго уровня:
+5B 1s22s22p1 1s 2s 2p
У следующего элемента, углерода, очередной электрон, согласно правилу Хунда, заполняет вакантную орбиталь, а не заполняет частично занятую:
+6C 1s22s22p2 1s 2s 2p
Попробуйте составить электронную и электронно-графическую формулы для следующих элементов, а затем можете проверить себя по ответам конце статьи:
5. Азот
6. Кислород
7. Фтор
У неона завершено заполнение второго энергетического уровня:
+10Ne 1s22s22p6 1s 2s 2p
У натрия начинается заполнение третьего энергетического уровня:
+11Na 1s22s22p63s1 1s 2s 2p 3s
От натрия до аргона заполнение 3-го уровня происходит в том же порядке, что и заполнение 2-го энергетического уровня. Предлагаю составить электронные формулы элементов от магния до аргона самостоятельно, проверить по ответам.
8. Магний
9. Алюминий
10. Кремний
11. Фосфор
12. Сера
13. Хлор
14. Аргон
А вот начиная с 19-го элемента, калия, иногда начинается путаница — заполняется не 3d-орбиталь, а 4s. Ранее мы упоминали в этой статье, что заполнение энергетических уровней и подуровней электронами происходит по энергетическому ряду орбиталей, а не по порядку. Рекомендую повторить его еще раз. Таким образом, формула калия:
+19K 1s22s22p63s23p64s11s 2s 2p3s 3p4s
Для записи дальнейших электронных формул в статье будем использовать сокращенную форму:
+19K 4s1 4s
У кальция 4s-подуровень заполнен:
+20Ca 4s2 4s
У элемента 21, скандия, согласно энергетическому ряду орбиталей, начинается заполнение 3d-подуровня:
+21Sc 3d14s2 4s 3d
Дальнейшее заполнение 3d-подуровня происходит согласно квантовым правилам, от титана до ванадия:
+22Ti 3d24s2 4s 3d
+23V 3d34s2 4s 3d
Однако, у следующего элемента порядок заполнения орбиталей нарушается. Электронная конфигурация хрома такая:
+24Cr 3d54s1 4s 3d
В чём же дело? А дело в том, что при «традиционном» порядке заполнения орбиталей (соответственно, неверном в данном случае — 3d44s2) ровно одна ячейка в d-подуровне оставалась бы незаполненной. Оказалось, что такое заполнение энергетически менее выгодно. А более выгодно, когда d-орбиталь заполнена полностью, хотя бы единичными электронами. Этот лишний электрон переходит с 4s-подуровня. И небольшие затраты энергии на перескок электрона с 4s-подуровня с лихвой покрывает энергетический эффект от заполнения всех 3d-орбиталей. Этот эффект так и называется — «провал» или «проскок» электрона. И наблюдается он, когда d-орбиталь недозаполнена на 1 электрон (по одному электрону в ячейке или по два).
У следующих элементов «традиционный» порядок заполнения орбиталей снова возвращается. Конфигурация марганца:
+25Mn 3d54s2
Аналогично у кобальта и никеля. А вот у меди мы снова наблюдаем провал (проскок) электрона — электрон опять проскакивает с 4s-подуровня на 3d-подуровень:
+29Cu 3d104s1
На цинке завершается заполнение 3d-подуровня:
+30Zn 3d104s2
У следующих элементов, от галлия до криптона, происходит заполнение 4p-подуровня по квантовым правилам. Например, электронная формула галлия:
+31Ga 3d104s24p1
Формулы остальных элементов мы приводить не будем, можете составить их самостоятельно.
Некоторые важные понятия:
Внешний энергетический уровень — это энергетический уровень в атоме с максимальным номером, на котором есть электроны.
Например, у меди (3d104s1) внешний энергетический уровень — четвёртый.
Валентные электроны — электроны в атоме, которые могут участвовать в образовании химической связи. Например, у хрома (+24Cr 3d54s1) валентными являются не только электроны внешнего энергетического уровня (4s1), но и неспаренные электроны на 3d-подуровне, т.к. они могут образовывать химические связи.
Режимы работы памяти
Память может работать в одноканальном (Single Channel), двухканальном (Dual Channel), трехканальном (Triple Channel) или четырехканальном режиме (Quad Channel).
В одноканальном режиме запись данных происходит последовательно в каждый модуль. В многоканальных режимах запись данных происходит параллельно во все модули, что приводит к значительному увеличению быстродействия подсистемы памяти.
Одноканальным режимом работы памяти ограничены только безнадежно устаревшие материнские платы с памятью DDR и первые модели с DDR2.
Все современные материнские платы поддерживают двухканальный режим работы памяти, а трехканальный и четырехканальный режим поддерживают только некоторые единичные модели очень дорогих материнских плат.
Главным условием работы двухканального режима является наличие 2 или 4 планок памяти. Для трехканального режима необходимо 3 или 6 планок памяти, а для четырехканального 4 или 8 планок.
Желательно, чтобы все модули памяти были одинаковыми. В противном случае работа в двухканальном режиме не гарантируется.
Если вы хотите добавить память на старый компьютер и ваша материнская плата поддерживает двухканальный режим, постарайтесь подобрать максимально идентичную по всем параметрам планку. Лучше всего продать старую и купить 2 новых одинаковых планки.
В современных компьютерах контроллеры памяти были перенесены с материнской платы в процессор
Теперь не так важно, чтобы модули памяти были одинаковыми, так как процессор в большинстве случаев все равно сможет активировать двухканальный режим. Это значит, что если вы в будущем захотите добавить память на современный компьютер, то не обязательно будет искать точь в точь такой же модуль, достаточно выбрать наиболее похожий по характеристикам
Но все же я рекомендую, что бы модули памяти были одинаковыми. Это даст вам гарантию ее быстрой и стабильной работы.
С переносом контроллеров памяти в процессор появились еще 2 режима двухканальной работы памяти – Ganged (спаренный) и Unganged (неспаренный). В случае если модули памяти одинаковые, то процессор может работать с ними в режиме Ganged, как и раньше. В случае, если модули отличаются по характеристикам, то для устранения перекосов в работе с памятью процессор может активировать режим Unganged. В целом скорость работы памяти в этих режимах практически одинаковая и не имеет никакой разницы.
Единственным недостатком двухканального режима является то, что несколько модулей памяти стоят дороже, чем один такого же объема. Но если вы не очень сильно стеснены в средствах, то покупайте 2 планки, скорость работы памяти будет значительно выше.
Если вам нужно, скажем 16 Гб оперативки, но вы пока не можете себе этого позволить, то можно приобрести одну планку на 8 Гб, чтобы в будущем добавить еще одну такую же. Но все же лучше приобретать две одинаковых планки сразу, так как потом может не получиться найти такую же и вы столкнетесь с проблемой совместимости.
Фотокамеры
Блоки фотокамер у рассматриваемых нами телефонов практически идентичны. Хотя у бюджетного POCO X3 Pro тыльный блок камер состоит из четырех сенсоров, а у более дорогого POCO F3 — всего из трех. Четвертый модуль у среднебюджетника — это вспомогательный сенсор для создания фото с размытием заднего фона. Установка этого модуля представляет собой всего лишь маркетинговый ход (чтобы покупатели впечатлились большим числом всевозможных фотомодулей). А на самом деле мощный POCO F3 делает точно такие же снимки с эффектом боке и без подобного сенсора (размытие фона осуществляет программа).
POCO F3 (слева) и POCO X3 Pro (справа). Блоки камер.
Основные камеры на обоих телефонах делают фотографии с разрешением до 48 Мпикс. При хорошем освещении детализация снимков достаточно высокая. Такие фото можно размещать в любые соцсети. В темное время суток с качеством фотографий могут появиться некоторые проблемы.
Широкоугольные камеры игровых смартфонов имеют разрешение 8 Мпикс. Они захватывают в кадр больше объектов, но четкость изображения при этом снижается.
Единственное, чем топовый POCO F3 превосходит более дешевую модель, так это разрешением макрокамеры (5 Мпикс против 2-х)
Данное обстоятельство важно для тех, кто часто делает фото мелких объектов с близкого расстояния
Что касается параметров камеры для селфи, то обе игровые модели (предназначенные для молодежи) оснащены модулями с повышенным разрешением 20 Мпикс.
Приложения
Технические характеристики POCO X3
Версия ОС | Android 10 |
---|---|
Количество SIM-карт | 2, nano SIM |
Режим работы нескольких SIM-карт | попеременный |
Вес | 215 г |
Размеры (ШxВxТ) | 76.8 x 165.3 x 9.4 мм |
Экран | цветной, сенсорный, мультитач, ёмкостный IPS, 24 бит |
Диагональ | 6.67 дюйма |
Разрешение экрана | 2400×1080, 395ppi |
Соотношение сторон | 20:9 |
Автоматический поворот экрана | есть |
Устойчивое к царапинам стекло | есть |
Количество основных камер | 3 |
Основные камеры | Основная 64 Мп F/1.9,
Sony IMX686
Cверхширокоугольная 13 МП F/2.2 |
Функции основной фотокамеры | автофокус |
вспышка | светодиодная |
Максиальное разрешение видео | 3840×2160 (4K) |
Максимальная частота кадров видео | 960 к/с Full HD 30 к/c 4K 30 к/c |
Фронтальная камера | есть, разрешение 20 Мп |
Аудио | MP3, AAC, WAV, WMA |
Разъём для наушников | Мини-джек 3.5 мм |
Стандарт связи | GSM 900/1800/1900, 3G, 4G LTE, VoLTE |
Интерфейсы | Wi-Fi, Bluetooth 5.1, USB, NFC |
Геопозиционирование | ГЛОНАСС, GPS |
Процессор | Qualcomm Snapdragon 732G, 2300 МГц |
Количество ядер процессора | 8 |
Видеопроцессор | Adreno 618 |
Объем встроенной памяти | 64 ГБ, UFS 2.1 |
Объем оперативной памяти | 6 ГБ, LPDDR4X, 1866 МГц |
Слот для карт памяти | microSD, microSDHC, microSDXC, объём до 256 Гб, совмещенный с SIM-картой |
Емкость аккумулятора | 5160 мАч, Li-polymer |
Тип разъема для зарядки | USB Type-C |
Функция быстрой зарядки | есть |
Громкая связь (встроенный динамик) | есть |
Управление | голосовой набор, голосовое управление |
Датчики | освещенности, приближения, гироскоп, компас, считывание отпечатка пальца, разблокировка по лицу |
Расположение сканера отпечатка пальца | сбоку, на правой грани |
Константин Биржаков, январь 2021 г.
Все права защищены.
Все снимки в статье сделаны автором.
Запрещено любое копирование любой части данного обзора в любых СМИ без письменного разрешения автора.
Экран
Большой 6.67″ IPS дисплей с вырезом-точкой под фронтальную камеру. Сразу отметим небольшие рамки и их симметрию по 3 граням, только нижняя рамка «подкачала» и больше в ширину. Вырез аккуратный, хотя на наш взгляд «капля» выглядела бы немного аккуратней
Но все равно, вырез полностью интегрирован в систему и никак не мешает пользоваться мобильным гаджетом, через какое-то время Вы просто перестаете обращать на него внимание
Экран с приятной цветопередачей и хорошей контрастностью, картинка выглядит сочно и просто радует глаз.
Даже черный цвет выглядит на экране хорошо, хотя это и IPS матрица.
Пульсометр показал отсутствие мерцания подсветки на всем диапазоне яркости от 100% до 3%, где коэффициент пульсаций не превышает всего 1% при норме около 15%.
Лишь на минимальных значениях яркости появились небольшие пульсации, но они не выходят за рамки. Девайсом безопасно пользоваться при любых настройках яркости, и в темноте тоже. Кроме этого дисплей прошел сертификацию TÜV Rhеinland и имеет низкий уровень синего излучения.
Максимальный уровень яркости позволяет комфортно пользоваться в помещении с ярким освещением.
Вне помещения экран ведет себя тоже хорошо.
Равномерность подсветки средняя, в центральной части экрана яркость больше, чем по краям.
Равномерность черного поля хорошая, по углам есть небольшие утечки подсветки, но ничего критичного.
Углы обзора высокие и соответствуют современным IPS матрицам. Даже под острыми углами нет цветовых искажений, хотя контрастность и яркость немного падают. Черный под углом получает свечение, характерное для такого типа экранов.
Повальное большинство мобильных гаджетов сейчас на рынке имеет стандартную частоту обновления экрана 60 Hz, даже среди флагманов повышенную частоту обновления экрана можно встретить не так часто. Например, экран с такой частотой обновления получили топовые Sаmsung Gаlaxy S20 Plus и OnеPlus 8 Pro, но при этом не получил Iphоne 12, где обещали экран с повышенной частотой только в следующем поколении. Именно поэтому Pоco X3 NFC просто разрывает в хлам своих конкурентов.
В интерфейсе системы очень плавные движения, без рывков и подтормаживаний. Выглядит все очень классно — прокрутка, анимация и т.д. Если бы Вы смотрели видео 30 кадров в секунду, а потом Вам включили 60 кадров в секунду, то переходить обрано на 30 Вы бы уже не захотели. Если попользоваться таким девайсом пару дней, то потом кажется что обычные девайс просто тормозят.
Второй момент — игровой. Экран имеет частоту дискретизации дисплея 240 Hz, что положительно влияет на точность управления. Иными словами, экран мобильного гаджета считывает 240 раз в секунду ту область, к которой мы касаемся нашими пальцами. К примеру даже у флагманского Xiаomi Mi 10 частота дискретизации составляет 180 Hz, а у более дешевых гаджетов 120 Hz и ниже.
Экран хочется похвалить. Он точно подойдет противникам АMOLED с его вездесущим ШИМ. Ну а частота обновления 120 Hz и частота дискретизации 240 Hz это вообще шик для девайса в этой ценовой категории.